12 SiC Epitaxial Wafers von Globalwafers - Hersteller setzt auf größere Durchmesser

Verantwortlich: Nora Steinfeld, ad hoc news Fachredaktion B2B & Profi. Geprueft am 04.07.2026, 02:40 Uhr. Details im Impressum.

12" SiC Epitaxial Wafers von Globalwafers liegen auf dem Metalltisch, grau glänzend, jede Scheibe so dünn, dass sie fast wie eine CD wirkt. In der Fertigungslinie erklärt Prozessingenieur Chen mit ruhiger Stimme, wie aus Siliziumkarbid-Schichten später Inverter für E-Autos und Industrieantriebe entstehen. Der Geruch nach Kühlflüssigkeit und trockener Reinraumluft hängt in der Halle.

Was Globalwafers mit 12" SiC Wafers plant

Globalwafers setzt mit seinen 12" SiC Epitaxial Wafers auf den nächsten Größenschritt bei Siliziumkarbid-Substraten für Leistungselektronik. Auf der Herstellerseite beschreibt das Unternehmen seine Aktivitäten in Siliziumkarbid, inklusive Epitaxie, als strategischen Wachstumstreiber für Automotive und Industrieanwendungen. Damit bewegt sich der taiwanische Wafer-Produzent bewusst weg von reinen Siliziumscheiben hin zu Wide-Bandgap-Materialien.

In einer Pressemitteilung aus dem Februar 2024 hat Globalwafers darauf verwiesen, dass das Unternehmen seine Kapazitäten für Siliziumkarbid-Wafer und Epitaxialprozesse deutlich ausbaut, um der steigenden Nachfrage aus der Automobilindustrie gerecht zu werden. Branchenberichte von Analysehäusern wie TrendForce ordnen dieses Engagement in einen globalen Investitionszyklus ein, in dem Waferhersteller bis 2030 zweistellige Milliardenbeträge in SiC-Fertigung investieren.

Technische Eckdaten und Einsatzgebiete

Die Bezeichnung 12" steht bei den SiC Epitaxial Wafers von Globalwafers für einen Durchmesser von rund 300 Millimetern, also deutlich größer als die aktuell in Siliziumkarbid weit verbreiteten 6"- und 8"-Formate. Nach Angaben des Unternehmens und von Marktanalysten ermöglicht dieser größere Durchmesser langfristig niedrigere Stückkosten, weil mehr Chips pro Wafer strukturiert werden können. Für Fab-Betreiber lohnt sich das insbesondere bei hohen Volumina im Automotive-Bereich.

Siliziumkarbid als Material zeichnet sich durch eine hohe Durchbruchspannung, geringe Schaltverluste und gute Wärmeleitfähigkeit aus, was es für Leistungshalbleiter prädestiniert. Die epitaktischen Schichten auf den 12" SiC Wafers von Globalwafers dienen als aktive Zone für MOSFETs, Dioden und Module, die später in Wechselrichtern, On-Board-Chargern oder Industrieantrieben arbeiten. Im Gespräch mit einem europäischen Kunden betont Vertriebsmanagerin Lin, dass der Fokus der 12"-Entwicklung klar auf künftigen Hochvoltsystemen im Elektromobilitätssektor liegt.

Kapazitätsausbau und Standorte

Globalwafers produziert Siliziumkarbid-Wafer und Epitaxialprodukte nicht nur in Taiwan, sondern baut auch Standorte in Europa und Nordamerika aus, um näher an großen Fab-Kunden zu sein. CEO Doris Hsu hat in mehreren Interviews hervorgehoben, dass gerade die E-Mobilität und Industrieumrichter für den geplanten Kapazitätszuwachs entscheidend sind. Die 12" SiC Epitaxial Wafers werden in diesem Kontext als zukünftiger Standard für Großserien genannt.

Aus Sicht der Kunden spielen neben der reinen Kapazität auch Defektdichte und Oberflächenqualität eine zentrale Rolle. Fachportale, die die Entwicklung der SiC-Industrie verfolgen, berichten, dass Hersteller wie Globalwafers an der Verringerung von Mikrorissen und Basalplane-Defekten arbeiten, um die Ausbeute in den nachgelagerten Prozessschritten zu erhöhen. Für die 12"-Generation ist diese Qualitätskontrolle besonders anspruchsvoll, weil größere Scheiben empfindlicher auf Spannungen im Material reagieren.

Marktposition und Wettbewerb bei SiC Wafers

Im Markt für Siliziumkarbid-Wafer konkurriert Globalwafers mit Anbietern wie Wolfspeed, STMicroelectronics und Rohm, die ebenfalls eigene Substratlinien betreiben. In Analysen von Marktforschern wird Globalwafers als wichtiger Zulieferer für externe Fab-Betreiber eingeordnet, während einige Wettbewerber einen stärkeren Fokus auf vertikal integrierte Systeme legen. Die 12" SiC Epitaxial Wafers sollen Globalwafers im Wettbewerb um kommende Großaufträge besser positionieren.

Für Fab-Betreiber, die heute überwiegend auf 6" und 8" SiC Wafer setzen, stellt der Umstieg auf 12" einen mehrjährigen Prozess dar. Fertigungslinien müssen angepasst, Maskensätze optimiert und Prozessrezepte neu ausgelegt werden. Ein Ingenieur eines europäischen Halbleiterherstellers beschreibt im Hintergrundgespräch, wie sich ein 12"-Wafer beim Handling anders anfühlt: Das größere Format ist sperriger, jede Bewegung mit dem Greifer muss präzise sitzen, damit die dünne Scheibe nicht beschädigt wird. In dieser Phase ist enge Zusammenarbeit mit Lieferanten wie Globalwafers entscheidend.

Einordnung für Anleger und Bedeutung der Aktie

Für Privatanleger, die sich mit Leistungselektronik und Elektromobilität beschäftigen, sind die 12" SiC Epitaxial Wafers von Globalwafers vor allem ein Baustein im größeren Investitionsbild. Das Produkt selbst wird nicht direkt im Einzelhandel angeboten, sondern fließt als Vorprodukt in die Fertigung von Chips und Modulen bei Kunden weltweit. Die wirtschaftliche Bedeutung ergibt sich daher aus langfristigen Lieferverträgen und Kapazitätsauslastung. Die Globalwafers Aktie ist in Taiwan an der TWSE gelistet und spiegelt die Erwartungen des Marktes an den Ausbau von Silizium- und Siliziumkarbid-Geschäften wider, ohne dass aus Sicht der Redaktion konkrete Kursziele abgeleitet werden.

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