Der CoolSiC MOSFET von Infineon - Effizienz für klassische Leistungselektronik
05.07.2026 - 16:31:09 | ad-hoc-news.deVerantwortlich: Nora Steinfeld, ad hoc news Fachredaktion Klassiker & Longseller. Geprueft am 05.07.2026, 16:30 Uhr. Details im Impressum.
CoolSiC MOSFET von Infineon liegt auf dem Labortisch, die feinen Beinchen des TO?247?Gehäuses glänzen im Licht, während ein Ingenieur mit ruhiger Hand die Messspitzen ansetzt. In modernen PV?Wechselrichtern und Industrieantrieben zählt jede Verlustleistung, und genau hier setzt dieser Siliziumkarbid?Transistor an. Statt Marketing?Sprech steht bei diesem Klassiker seit Jahren ein klarer technischer Zweck im Vordergrund.
Siliziumkarbid als Dauerbrenner in der Leistungselektronik
Infineon positioniert seine CoolSiC MOSFET Serie schon länger als Baustein für besonders effiziente Leistungselektronik, etwa in Solarwechselrichtern, Ladeinfrastruktur und Industrieantrieben. Produktseite CoolSiC MOSFET Siliziumkarbid, oft als SiC abgekürzt, erlaubt höhere Sperrspannungen, schnellere Schaltvorgänge und geringere Schaltverluste als klassisches Silizium.
In der Praxis heißt das: Entwickler können bei derselben Ausgangsleistung kleinere Kühlkörper einsetzen oder bei begrenztem Bauraum mehr Leistung unterbringen. Infineon Presseinfos CoolSiC Der CoolSiC MOSFET ist damit kein exotischer Neuling, sondern ein etablierter Baustein in vielen industriellen Designs.
Konkretes Produkt: 1200 V CoolSiC MOSFET im TO?247 Gehäuse
Um greifbar zu bleiben, schauen wir auf einen typischen Vertreter der Serie: einen 1200?Volt?CoolSiC MOSFET im TO?247?3?Pin?Gehäuse, wie er in vielen Datenblättern und Applikationshinweisen von Infineon empfohlen wird. Datenblatt 1200V CoolSiC MOSFET Produktmanager Dr. Marco Liserre erklärt in einem Fachinterview, dass gerade diese Spannungsklasse in Industrieantrieben und Photovoltaik?Wechselrichtern weit verbreitet ist.
Die Kombination aus 1200?Volt?Sperrspannung, niedrigem Durchlasswiderstand und einem robusten Standardgehäuse macht den Baustein für Entwickler attraktiv, die bestehende Silizium?Designs auf Siliziumkarbid heben wollen. SiC?Technologie bei Infineon Für die Lagerhaltung spielt der Klassikerstatus eine Rolle: Viele Distributoren führen den 1200?V?Typ seit Jahren kontinuierlich.
CoolSiC und die Rolle im Infineon Portfolio
Mehr Hintergründe zu Infineon Technologies und zur Bedeutung von Siliziumkarbid im Konzern findest du in unseren Themenseiten und den offiziellen Investor-Relations-Unterlagen.
Einsatzfelder von PV bis Industrieantrieb
Ein Entwickler, der einen klassischen dreiphasigen PV?Wechselrichter plant, kennt das Problem: hohe DC?Zwischenspannungen von 800 bis 1000 Volt, begrenzter Bauraum und strenge Effizienzanforderungen, um die Energieverluste niedrig zu halten. Applikationsseite PV bei Infineon Hier spielt der 1200?V?CoolSiC MOSFET seine Stärken aus, etwa in Vollbrücken?Topologien oder mehrstufigen Umrichtern.
Auch Industrieantriebe mit Netzspannungen von 400 Volt und darüber nutzen die höheren Sperrspannungen, um Sicherheitsreserve und Robustheit im Design zu haben. Infineon Motor?Drive Anwendungen In beiden Fällen entscheidet der Baustein über die Schaltverluste und damit über die Temperatur am Kühlkörper, die man beim Testaufbau mit der Hand deutlich spürt.
Technische Kennwerte und Designaspekte
Ein Blick ins Datenblatt zeigt typische Kennwerte: geringer RDS(on), schnelle Schaltflanken und vergleichsweise kleine Gate?Ladung. Applikationshinweis CoolSiC Entwickler müssen die höheren Schaltgeschwindigkeiten in der Layout?Gestaltung berücksichtigen, Stichwort parasitäre Induktivitäten und EMV?Verhalten.
Infineon bietet dafür konkrete Layout?Guidelines, Gate?Treiber?Empfehlungen und Referenzdesigns, die sich in vielen Projekten als Ausgangsbasis etabliert haben. Referenzdesigns von Infineon Ein klassisches Beispiel ist ein dreiphasiger PV?Wechselrichter mit CoolSiC MOSFETs und passenden Gate?Treibern, bei dem Messingenieure im Labor das Schaltverhalten mit Oszilloskopen und Stromzangen fein austarieren.
Verfügbarkeit, Preisniveau und Zielgruppe
Als klassischer Longseller ist der 1200?V?CoolSiC MOSFET im TO?247?Gehäuse bei vielen Distributoren in Europa und weltweit gelistet, oft mit Lieferzeiten im Wochenbereich statt Monaten. 1200V CoolSiC Übersicht Preislich liegt der Baustein deutlich über klassischen Silizium?MOSFETs derselben Spannungsklasse, was allerdings oft durch Effizienzgewinne und kleinere Kühlkörper kompensiert wird.
Die Zielgruppe sind klar professionelle Entwickler in Industrie?, Energie? und Automationsunternehmen, weniger Hobby?Bastler oder Consumer?Gerätehersteller. Distributor?Preisbeispiele Projektleiter wie die fiktive Entwicklerin Anna Müller kalkulieren in ihren Business?Cases oft direkt mit den Gesamtverlusten über die Lebensdauer, nicht nur mit dem Stückpreis.
Infineon Aktie und Segmentbedeutung
Für Infineon spielt das Siliziumkarbid?Geschäft eine strategische Rolle, weil SiC?Leistungshalbleiter in Elektromobilität, Industrie und Energieanwendungen als Wachstumsfeld gelten. Investorenpräsentationen Der CoolSiC MOSFET als klassischer Dauerläufer stützt dabei das Image des Konzerns als Anbieter effizienter Leistungselektronik.
Die Infineon Aktie ist im Prime Standard der Frankfurter Wertpapierbörse (Xetra) gelistet und wird aktuell in Euro gehandelt; das Siliziumkarbid?Segment trägt zum langfristigen Wachstumspotenzial und zur Margenstruktur des Unternehmens bei.
Steckbrief CoolSiC MOSFET
- Produkt: CoolSiC MOSFET 1200 V im TO-247 Gehäuse
- Hersteller: Infineon Technologies AG
- Kategorie: Klassiker / Longseller Leistungshalbleiter
- Markteinfuehrung: Serie seit mehreren Jahren im Markt, stetig erweitert
- UVP / Preis: je nach Typ und Distributor meist im zweistelligen Eurobereich pro Stück
- Verfuegbarkeit: weltweit über Distributoren und Direktvertrieb von Infineon
- Zielgruppe: Entwicklungsabteilungen in Industrie, Energie, Automatisierung und E-Mobilität
- Besonderheit / USP: Siliziumkarbid-Technologie mit hoher Sperrspannung und niedrigem Schaltverlust für effiziente Leistungselektronik
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