ASML TWINSCAN NXT:2000i, DUV-Immersionslithografie

TWINSCAN NXT:2000i von ASML - DUV-Immersionslithografie mit 1,35 NA und 275 Wafern pro Stunde

Veröffentlicht am: 17.08.2026 um 15:01 Uhr | Redaktionelle Verantwortung: Rafael MĂŒller, Chefredakteur AD HOC NEWS
TWINSCAN NXT:2000i ist ein DUV-Immersionslithographiesystem von ASML fĂŒr die Volumenfertigung von 300-mm-Wafern mit einer numerischen Apertur von 1,35 und bis zu 275 Wafern pro Stunde. FĂŒr Betreiber moderner Halbleiterfabriken ist vor allem die Kombination aus hoher Auflösung bis 38-40 nm und prĂ€zisem Overlay von 2,5 nm entscheidend.
ASML TWINSCAN NXT:2000i, DUV-Immersionslithografie, Halbleiterfertigung, Illustration mit AI erstellt.

Das TWINSCAN NXT:2000i von ASML ist ein tief-ultraviolettes Immersionslithographiesystem, das speziell fĂŒr die Volumenfertigung von 300-mm-Wafern an fortgeschrittenen StrukturgrĂ¶ĂŸen entwickelt wurde und eine numerische Apertur von 1,35 nutzt, um Auflösungen bis rund 38 bis 40 nm zu erreichen. Die Projektionsoptik arbeitet bei 193 nm WellenlĂ€nge und ist fĂŒr 300-mm-Wafer in Dual-Stage-AusfĂŒhrung ausgelegt.

Optik, Auflösung und Belichtungsfeld

Im Zentrum des NXT:2000i steht ein katadioptrisches Projektionsobjektiv mit einer numerischen Apertur von 1,35, das im 193-nm-DUV-Bereich arbeitet und damit zu den höchsten NA-Werten im industriellen Immersionslithografiebereich zĂ€hlt. Die Optik ist fĂŒr ein Belichtungsfeld von 26 x 33 mm bei 4x-Verkleinerung ausgelegt, sodass komplette Dies moderner Hochleistungs-Chips abgedeckt werden können.

Produktionsauflösungen werden je nach Beleuchtungsmodus mit etwa 40 nm bei C-Quad-Belichtung und rund 38 nm bei Dipol-Illumination angegeben, womit das System kritische Schichten im Bereich fortgeschrittener Logik- und Speicherstrukturen adressiert. Die FlexRay Prepared Illuminator erweitert die klassische und off-axis Beleuchtung und unterstĂŒtzt komplexe Pupillenformen fĂŒr Low-k1-Belichtungsschemata.

ProduktivitÀt und Overlay-Leistung

Das NXT:2000i ist als Dual-Stage-System konzipiert, das auf hohe Waferzahlen pro Stunde optimiert ist und typischerweise DurchsĂ€tze von bis zu etwa 275 Wafern pro Stunde erreicht, wodurch es fĂŒr Volumenfertigung an 300-mm-Linien ausgelegt ist. Als GrĂ¶ĂŸenordnung fĂŒr optimierte Produktionskonfigurationen werden hier WaferdurchsĂ€tze im Bereich von 275 WPH genannt.

Beim Overlay erreicht das System eine Cross-Matching-Overlaygenauigkeit von rund 2,5 nm auf Produktstrukturen, was durch Sensorik mit ORION-Alignment-Sensor und dem Ultraviolet Level Sensor der zweiten Generation (UVLS-2) unterstĂŒtzt wird. Die Kombination aus prĂ€ziser Ausrichtung und genauer Levelmessung trĂ€gt zu robuster Imaging-Performance und geringer Fehlerdichte bei.

Einordnung im DUV-Portfolio und Vergleich zu EUV

Im DUV-Portfolio von ASML gehört das NXT:2000i zu den hochauflösenden Immersionsscannern, die weiterhin einen großen Teil der Layers in modernen Fertigungsprozessen bearbeiten, wĂ€hrend extrem-ultraviolette Systeme der NXE- und EXE-Reihen vor allem die kleinsten StrukturgrĂ¶ĂŸen abdecken. DUV-Immersion bleibt damit ein SchlĂŒsselwerkzeug fĂŒr viele kritische Schichten in der Sub-10-nm-Ära.

WĂ€hrend das NXT:2000i bei 193 nm und 1,35 NA arbeitet, nutzen EUV-Systeme wie das TWINSCAN NXE:3400C eine WellenlĂ€nge von 13,5 nm und eine numerische Apertur von 0,33, erreichen eine Overlay-Genauigkeit von etwa 1,4 bis 1,5 nm und DurchsĂ€tze ab 170 Wafern pro Stunde bei 300-mm-Wafern. Damit adressieren EUV-Scanner besonders die 7-nm- und 5-nm-Nodes, wĂ€hrend DUV-Immersion wie das NXT:2000i höhere StrukturgrĂ¶ĂŸen mit sehr hoher ProduktivitĂ€t bearbeitet.

Direkt beim Hersteller

TWINSCAN NXT:2000i im ASML-ProduktĂŒberblick

Detailinformationen zur Optik, Prozessintegration und unterstĂŒtzten Anwendungen des TWINSCAN NXT:2000i finden sich im DUV-Produktbereich von ASML.

Praxisnutzen in der Fertigung

FĂŒr Betreiber von Halbleiterfabriken ist die Kombination aus hoher Auflösung im Bereich von 38 bis 40 nm, einem großen Belichtungsfeld von 26 x 33 mm und DurchsĂ€tzen bis 275 Wafer pro Stunde entscheidend, um kritische Layer effizient und mit reproduzierbarer QualitĂ€t zu bearbeiten. Die Dual-Stage-Architektur erlaubt paralleles Wafer-Handling und Belichtung, was die effektive ProduktivitĂ€t weiter steigert.

GegenĂŒber Ă€lteren DUV-Systemen mit geringerer numerischer Apertur und kleinerem Belichtungsfeld bietet das NXT:2000i eine deutlich höhere Auflösung, prĂ€zisere Overlay-Leistung im Bereich von 2,5 nm und reduziert damit die Notwendigkeit zusĂ€tzlicher Korrekturschritte in der Prozesskette.

Fazit und Stellung im Halbleitermarkt

Das TWINSCAN NXT:2000i belegt im DUV-Segment von ASML eine zentrale Rolle, weil es hohe Auflösung und ProduktivitĂ€t fĂŒr 300-mm-Wafer verbindet und damit viele Layer in modernen Logik- und Speicherprozessen wirtschaftlich bearbeitbar hĂ€lt, wĂ€hrend EUV-Systeme die kleinsten Strukturen ergĂ€nzen.

In der Einordnung zwischen klassischen DUV-Scannern und EUV-Systemen kann das NXT:2000i als leistungsstarkes Immersionswerkzeug fĂŒr StrukturgrĂ¶ĂŸen im Bereich von rund 38 bis 40 nm gesehen werden, das mit 1,35 NA, großer FeldgrĂ¶ĂŸe und bis zu 275 Wafern pro Stunde eine technische BrĂŒcke zwischen bewĂ€hrter DUV-Technik und den Anforderungen fortgeschrittener Nodes schlĂ€gt.

TWINSCAN NXT:2000i - technische Eckdaten

  • Produkt: ASML TWINSCAN NXT:2000i DUV-Immersionslithografiesystem
  • Hersteller: ASML Holding N.V.
  • Kategorie: DUV-Immersionslithografiesystem fĂŒr 300-mm-Wafer
  • WellenlĂ€nge: 193 nm DUV
  • Numerische Apertur: 1,35
  • Belichtungsfeld: 26 x 33 mm bei 4x-Verkleinerung
  • Produktionsauflösung: etwa 40 nm (C-Quad) bzw. 38 nm (Dipol-Illumination)
  • Durchsatz: bis etwa 275 Wafer pro Stunde (300-mm-Wafer)
  • Overlay-Genauigkeit: etwa 2,5 nm Cross-Matching auf Produkt
  • Zielgruppe: Betreiber fortgeschrittener Halbleiterfabriken mit 300-mm-Linien

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