Chiplet-Integration, Wafer-Bonding

Chiplet-Integration: 40-Nanometer-PrÀzision beim Wafer-Bonding erreicht

29.05.2026 - 14:03:54 | boerse-global.de

Forschung und Industrie treiben Chiplet-Verbindungen voran. Neue Techniken wie Hybridbonding und LogicFolding versprechen höhere Leistung fĂŒr KI-Chips.

Chiplet-Integration: 40-Nanometer-PrĂ€zision beim Wafer-Bonding erreicht - Foto: ĂŒber boerse-global.de
Chiplet-Integration: 40-Nanometer-PrĂ€zision beim Wafer-Bonding erreicht - Foto: ĂŒber boerse-global.de

Im Mai 2026 zeigen mehrere ForschungsdurchbrĂŒche und Industrieprojekte: Die Verbindungstechniken zwischen einzelnen Chip-Modulen – sogenannten Chiplets – werden zum entscheidenden Faktor fĂŒr kĂŒnftige KI-Prozessoren und Hochleistungsrechner.

Quasi-monolithische Integration am Fraunhofer IPMS

Einen wesentlichen Fortschritt erzielte das Fraunhofer-Institut fĂŒr Photonische Mikrosysteme (IPMS) im EU-Projekt APECS. Die Forscher demonstrierten eine quasi-monolithische Integration (QMI) auf Wafer-Ebene.

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Das Verfahren bettet Chiplets in speziell gefertigte Vertiefungen – sogenannte Pockets – innerhalb eines Silizium-Wafers ein. Nach der Einebnung der OberflĂ€che lassen sich die Komponenten mit deutlich höherer Verbindungsdichte verknĂŒpfen als mit herkömmlichen Packaging-Methoden. Der Ansatz kombiniert die FlexibilitĂ€t modularer Systeme mit den Vorteilen eines Einzelchips: kĂŒrzere Signalwege und verbesserte ZuverlĂ€ssigkeit. Ziel sind hochintegrierte Systeme fĂŒr KI-Anwendungen und intelligente Transceiver.

PrÀzisionsrekorde beim Wafer-Bonding

Parallel dazu haben das Forschungsinstitut Imec und die EV Group neue MaßstĂ€be beim Hybridbonding gesetzt. Auf der Fachkonferenz ECTC prĂ€sentierten sie im Mai 2026 das Wafer-zu-Wafer-Hybridbonding mit einem Pitch von lediglich 200 Nanometern auf 300-mm-Wafern.

Die erzielte Genauigkeit ist bemerkenswert: Mit einem Post-Bond-Overlay von weniger als 40 Nanometern wurde ein technischer Bestwert erreicht. Diese PrĂ€zision gilt als Voraussetzung fĂŒr das sogenannte CMOS 2.0, bei dem Logik-zu-Logik- oder Speicher-zu-Logik-Schichten direkt ĂŒbereinander gestapelt werden. Branchenanalysten sehen darin die Basis fĂŒr Architekturen jenseits der zweidimensionalen Chip-Planung.

Skalierungskonzepte und architektonische Alternativen

Angesichts der zunehmenden FertigungskomplexitĂ€t werden auch neue theoretische Modelle diskutiert. Im Mai 2026 stellten Forscher das Tau-Skalierungsgesetz vor – eine Alternative zum klassischen Mooreschen Gesetz. Das Konzept ergĂ€nzt die Transistor-Miniaturisierung durch Optimierung der Zeitskalierung und vertikaler Architektur.

Eine zentrale Rolle spielt dabei die LogicFolding-Architektur. Ein im FrĂŒhjahr vorgestellter EDA-Prototyp (Electronic Design Automation) optimiert Multilayer-Chips als durchgehende vertikale Strukturen. Erste Tests deuten darauf hin, dass dieser True-3D-Ansatz die internen DrahtlĂ€ngen um bis zu 30 Prozent reduzieren könnte. Entsprechende Prozessoren sollen bereits im Herbst 2026 zum Einsatz kommen. Das langfristige Ziel: eine Transistordichte, die konventionellen 1,4-Nanometer-Verfahren entspricht.

Industrielle Umsetzung und europĂ€ische Großprojekte

Die Kommerzialisierung dieser Technologien zeigt sich in neuen Partnerschaften. Broadcom und FuriosaAI entwickeln gemeinsam einen Inferenzbeschleuniger der dritten Generation. Er basiert auf einem 2-Nanometer-Prozess und nutzt Broadcoms 3,5D-Packaging-Technologie. Der Fokus liegt auf der Skalierbarkeit in Rechenzentren durch Integration von Hochleistungsspeichern (HBM4).

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Auch die FertigungskapazitĂ€ten passen sich an. Der Dienstleister ASE kĂŒndigte im Mai 2026 eine automatisierte Produktionslinie fĂŒr Panel-Level-Packaging im Format 310 mal 310 Millimeter an. Der Wechsel von runden Wafern auf rechteckige Panels vergrĂ¶ĂŸert die NutzflĂ€che und steigert die Effizienz bei der Integration von KI-Chiplets. Die Serienproduktion soll in der ersten HĂ€lfte 2027 starten.

Auf europÀischer Ebene adressiert das Flaggschiffprojekt Moore4Power die heterogene Integration. Unter Koordination von Infineon startete im Mai 2026 ein mit 91 Millionen Euro dotiertes Vorhaben mit Partnern aus 15 LÀndern. Das Projekt konzentriert sich auf die Verbindung unterschiedlicher Materialien wie Silizium, Siliziumkarbid und Galliumnitrid auf Systemebene. Zielanwendungen sind E-MobilitÀt und Bahntechnik mit Wirkungsgraden von bis zu 99 Prozent.

ErgĂ€nzt werden diese Bestrebungen durch Erfolge bei europĂ€ischen Hochleistungsprozessoren. Mitte Mai 2026 wurde der erste Rhea1-Prozessor des Herstellers SiPearl erfolgreich in Betrieb genommen. Das System verfĂŒgt ĂŒber 80 Kerne und nutzt HBM2e-Speicher. Erste Auslieferungen fĂŒr Supercomputer sind gegen Ende 2026 vorgesehen.

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