DDR5-Update: MSI ermöglicht 8200 MT/ s auf AMD-Motherboards
Veröffentlicht: 06.07.2026 um 22:57 Uhr, Redaktion boerse-global.de
Ein neues BIOS-Update von MSI ermöglicht deutlich höhere Taktraten für DDR5-Arbeitsspeicher mit CXMT-Chips aus China – und das ausgerechnet auf dem AM5-Sockel.
Der Mainboard-Hersteller MSI hat am heutigen Montag ein BIOS-Update für seine AMD-Motherboards veröffentlicht, das die Leistung von Speichermodulen mit Chips des chinesischen Herstellers ChangXin Memory Technologies (CXMT) massiv steigert. Die neue Firmware erlaubt DDR5-Geschwindigkeiten von bis zu 8200 MT/s – ein Sprung von zuvor maximal 6800 MT/s.
Beeindruckende Validierungsergebnisse
Die Tests von MSI zeigen bemerkenswerte Werte: In Dual-DIMM-Konfigurationen mit 24-Gbit-CXMT-Chips wurden stabile 8200 MT/s erreicht. Module mit 16-Gbit-Chips schafften immerhin 8000 MT/s. Selbst Systeme mit vier belegten Speicherbänken laufen nun stabil bei 7200 MT/s – ein Wert, der bis vor kurzem High-End-Modulen etablierter Hersteller vorbehalten war.
Die Validierung erfolgte mit handelsüblichen Speicherkits von KingBank und Lexar. Das BIOS basiert auf dem aktuellen AGESA-Mikrocode und steht ab sofort zum Download bereit. Es verbessert gezielt die Kompatibilität und die Frequenzgrenzen für die chinesischen Speicherchips auf der AM5-Plattform.
CXMT auf Expansionskurs
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Der technische Durchbruch kommt nicht zufällig. CXMT baut seine Produktionskapazitäten rasant aus. Bereits im ersten Quartal 2026 hielt das Unternehmen acht Prozent am globalen DRAM-Markt – bei einer operativen Marge von beachtlichen 70 Prozent.
Der Börsengang am Shanghai STAR Market ist in Planung. Rund 5,12 Milliarden Euro will CXMT damit einsammeln. Das Geld fließt in den Kapazitätsausbau: Bis Ende 2026 soll die monatliche Wafer-Produktion auf 350.000 Stück steigen. Damit rückt CXMT in die Nähe von Micron, das im gleichen Zeitraum auf geschätzte 385.000 Wafer pro Monat kommt. Das langfristige Ziel: 500.000 Wafer monatlich bis 2028.
Technologischer Sprung ohne EUV-Lithografie
CXMT setzt auf clevere Alternativen. Erst am vergangenen Sonntag wurde bekannt, dass das Unternehmen in Hefei eine Pilotlinie für Bonded DRAM in Betrieb genommen hat. Die Technologie nutzt Wafer-to-Wafer-Hybrid-Bonding – ein Verfahren, das ohne extrem ultraviolette (EUV) Lithografie auskommt. Damit schließt CXMT die technische Lücke zu den etablierten Wettbewerbern, ohne auf die teuerste Fertigungstechnologie angewiesen zu sein.
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HBM als nächstes Ziel
Der chinesische Speicherhersteller hat zudem den Markt für High-Bandwidth Memory (HBM) ins Visier genommen. Noch 2026 soll die Produktion von HBM3 anlaufen, die Massenfertigung der schnelleren HBM3E-Variante ist für 2027 geplant. Sollte CXMT diesen Zeitplan einhalten, wäre der technologische Rückstand zu den südkoreanischen und US-amerikanischen Marktführern deutlich geschrumpft.
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